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Si1070X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
10
1
0.24
0.1 8
I D = 1.2 A
0.1
T J = 150 °C
0.12
T A = 125 °C
T J = 25 °C
0.01
0.001
0.06
0.00
T A = 25 °C
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1
0
1
2
3
4
5
1.5
1.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
5.0
4.0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
R DS(on) vs. V GS vs. Temperature
1.2
3.0
1.0
2.0
0. 8
0.6
1.0
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
Limited b y R DS(on) *
1
0.1
0.01
T A = 25 ° C
Single P u lse
0.001
BVDSS Limited
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73893
S10-2542-Rev. D, 08-Nov-10
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